本文摘要:普渡大学的研究人员在美国国防高级研究计划局(DARPA)的许可下,开发了一种新的方法,用于冷凝介质流体,使其通过芯片本身的微型地下通道来加热芯片。它们与研究人员所说的“分层燃烧室”相连,该燃烧室通过地下通道分配冷却剂流。

芯片

我们已经能够填充芯片和创建多芯片印刷电路板很长时间了。然而,加热功能强大的芯片是一项困难的任务。

到目前为止,多层设计主要用于与非门存储芯片等低功耗产品。这在不久的将来可能会改变。普渡大学的研究人员在美国国防高级研究计划局(DARPA)的许可下,开发了一种新的方法,用于冷凝介质流体,使其通过芯片本身的微型地下通道来加热芯片。

地下通道

微型地下通道加热并不是一个全新的想法,但在这种情况下,突破是用于短路和一个宽的地下通道(只有10微米宽)分段流向芯片。它们与研究人员所说的“分层燃烧室”相连,该燃烧室通过地下通道分配冷却剂流。

微型地下通道比它长20倍,HFE-7100冷却剂通过微型地下通道冷凝,迅速从芯片上散热。这项技术可以使国防高级研究计划局加热超级计算机和雷达电子产品,但它在消费市场也有令人兴奋的前景。普渡集团一平方厘米成功加热1kW热量。

这是一个令人印象深刻的热密度,但可能无法满足目前超频Intel Skylake-X芯片带来的热量输入。总体来说,CPU和GPU多为单层设计,可以用传统方式充分加热,虽然有一些希望。

正如普渡研究人员认为的那样,填充设计意味着低级芯片不能通过传统方法用于必要的加热,对于片上微地下通道,加热流体必须通过芯片,允许多级微处理器同时加热。这种设计很奇怪,在不久的将来也不太可能经常出现在我们的台式电脑上。

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